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J-GLOBAL ID：200903051489033088

半導体装置の製造方法

Inventor： 中西 敏雄
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 森 道雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994242961
Publication number (International publication number)：1996107110
Application date： Oct. 06, 1994
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】【構成】基板上に銅を含むアルミニウム合金膜をスパッタリングにより成膜しフォトリソグラフィー工程により配線幅1μm以下の配線を含むアルミニウム合金配線を形成する半導体装置の製造方法において、前記基板を350°C以上あるいは100°C以下の温度に設定し、成膜材として銅の含有量が0.5〜1.0重量%のアルミニウム合金を用いてスパッタリングにより成膜する半導体装置の製造方法。【効果】EM耐性やSM耐性に優れるとともに、ピット状の腐食の発生が小さく信頼性の高いAl配線を形成することができ、半導体装置の信頼性の向上や長寿命化を図ることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に銅を含むアルミニウム合金膜をスパッタリングにより成膜しフォトリソグラフィー工程により配線幅1μm以下の配線を含むアルミニウム合金配線を形成する半導体装置の製造方法において、前記基板を350°C以上あるいは100°C以下の温度に設定し、成膜材として銅の含有量が0.5〜1.0重量%のアルミニウム合金を用いてスパッタリングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-002800   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 薄膜配線およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-057549   Applicant：日本電気株式会社