半導体チップ製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松浦憲三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999315274
Publication number (International publication number)：2001135595
Application date： Nov. 05, 1999
Publication date： May. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】割れやチッピングを発生させることなく極薄状の半導体チップを製造することができる半導体チップ製造方法を提供する。【解決手段】まず、表面に多数のチップが形成されたウェーハの裏面を研削して、そのウェーハを所定の厚さに形成する。次に、ウェーハの裏面を研磨又はエッチングして裏面研削時に形成された破砕層を除去する。次に、各チップ間に形成されたストリートに沿ってウェーハの裏面に所定深さの溝を形成する。そして、その溝に沿ってウェーハに割れ目を入れ、個々のチップに分割する。このように、裏面研削後に、ウェーハの裏面に形成されている破砕層を除去し、碧開を利用してウェーハを個々のチップに分割することにより、割れや欠けの発生を効果的に抑制することができる。

Claim (excerpt)：

表面に多数のチップが形成されたウェーハの裏面を研削してウェーハの厚さを所定の厚さに形成する裏面研削工程と、前記ウェーハの裏面を研磨又はエッチングして前記研削時に形成された破砕層を除去する破砕層除去工程と、各チップ間に形成されたストリートに沿って前記ウェーハの裏面に所定深さの溝を形成する溝形成工程と、前記溝に沿って前記ウェーハに割れ目を入れて個々のチップに分割する分割工程と、からなることを特徴とする半導体チップ製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/301 , H01L 21/304 601 , H01L 21/304 621 , H01L 21/304 631

FI (6)：

H01L 21/304 601 B , H01L 21/304 621 C , H01L 21/304 631 , H01L 21/78 Q , H01L 21/78 F , H01L 21/78 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体デバイスの分離方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-018868 Applicant：株式会社東芝
ウェーハの裏面研磨・ダイシング方法及びシステム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-093566 Applicant：株式会社ディスコ
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-041933 Applicant：株式会社エスアイアイ・アールディセンター

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Cited by examiner (7)

半導体デバイスの分離方法
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