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J-GLOBAL ID：200903051581702140

有機アクセプタ膜を備えた有機薄膜トランジスタ

Inventor： 徐 ▲文▼ 徹 ,  楊 南 ▲吉▼ ,  金 慧 東
Applicant, Patent owner： 三星エスディアイ株式会社
Agent (2)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005058809
Publication number (International publication number)：2005317923
Application date： Mar. 03, 2005
Publication date： Nov. 10, 2005
Summary：

【課題】 有機アクセプタ膜を備えた有機TFTを提供する。【解決手段】 有機半導体層と、有機半導体層に電気的に連結されたソース及びドレイン電極と、ソース及びドレイン電極と有機半導体層とにそれぞれ絶縁されるように備えられたゲート電極と、ソース及びドレイン電極と有機半導体層との間に介在された有機アクセプタ膜と、を備えることを特徴とする有機TFTである。【選択図】図2A

Claim (excerpt)：

有機半導体層と、 前記有機半導体層に電気的に連結されたソース及びドレイン電極と、 前記ソース及びドレイン電極と、前記有機半導体層とにそれぞれ絶縁されるように備えられたゲート電極と、 前記ソース及びドレイン電極と、前記有機半導体層との間に介された有機アクセプタ膜と、を備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (3)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28

F-Term (28)：

5F110AA01 ,  5F110AA03 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK41

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 有機半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-265170   Applicant：パイオニア株式会社
• コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-055997   Applicant：株式会社日立製作所
• 光起電力素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-108161   Applicant：株式会社リコー
• 光導電性組成物及びこれより形成された光導電膜を採用した表示素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-160883   Applicant：三星電管株式會社
• 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-321277   Applicant：日本電信電話株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Characteristics of Pentacene Organic Thin Film Transistors with Gate Insulator Processed by Organic