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J-GLOBAL ID：200903051831143729

導電性金属酸化物焼結体およびその用途

Inventor： 内海 健太郎 ,  高畑 努
Applicant, Patent owner： 東ソー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998363876
Publication number (International publication number)：2000185968
Application date： Dec. 22, 1998
Publication date： Jul. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ITO薄膜を結晶化温度以上の基板温度でスパッタリング法により形成した場合においても、ドメイン構造を有さず平坦で、エッチング特性に優れた薄膜を提供する。【解決手段】 実質的にインジウム、スズ、亜鉛および酸素からなり、亜鉛をZn/(In+Sn+Zn)の比で0.1原子%以上、2.0原子%未満含有するITO焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて、亜鉛をZn/(In+Sn+Zn)の比で0.1原子%以上、2.0原子%未満含有するITO薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

実質的にインジウム、スズ、亜鉛および酸素からなり、亜鉛がZn/(In+Sn+Zn)の比で0.1原子%以上、2.0原子%未満の割合で添加されていることを特徴とする金属酸化物焼結体。

IPC (4)：

C04B 35/457 ,  C23C 14/34 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 31/04

FI (4)：

C04B 35/00 R ,  C23C 14/34 A ,  G02F 1/1343 ,  H01L 31/04 M

F-Term (21)：

2H092HA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA17 ,  2H092PA01 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030GA29 ,  4K029AA09 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC24 ,  5F051AA20 ,  5F051BA05 ,  5F051FA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 透明電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-197533   Applicant：株式会社高純度化学研究所
• スパツタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲツト材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-259904   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 酸化インジウム系焼結体および酸化物焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平2-410685   Applicant：日立金属株式会社, 株式会社安来精密