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J-GLOBAL ID：200903051975646105

リ-ドフレ-ム材のアウタ-リ-ド部、それを用いた半導体装置

Inventor： 谷本 守正 ,  鈴木 智 ,  松田 晃 ,  杉江 欣也
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社 ,  協和電線株式会社
Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999346757
Publication number (International publication number)：2000138334
Application date： Nov. 11, 1997
Publication date： May. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】 環境に悪影響を及ぼさず、半田付け性や溶接時の溶接強度が優れており、またリフロー処理時の偏肉も小さいリードフレーム材のアウターリード部を提供する。【解決手段】 このアウターリード部は、導電性基体の表面に、Sn単体から成る厚みt1の第1めっき層と、Ag,Bi,Cu,In,Znの群から選ばれる少なくとも1種を含有するSn合金から成る厚みt2の第2めっき層とがこの順序で積層されていて、かつ、t1,t2は、6μm≦t1≦10μm,1μm≦t2≦3μm,0.1≦t2/t1≦0.5の関係を満足する値である。

Claim (excerpt)：

導電性基体の表面に、Sn単体から成る厚みt1の第1めっき層と、Ag,Bi,Cu,In,Znの群から選ばれる少なくとも1種を含有するSn合金から成る厚みt2の第2めっき層とがこの順序で積層されていて、かつ、t1,t2は、6μm≦t1≦10μm,1μm≦t2≦3μm,0.1≦t2/t1≦0.5の関係を満足する値であることを特徴とするリードフレーム材のアウターリード部。

IPC (4)：

H01L 23/48 ,  B23K 35/26 310 ,  H01B 5/02 ,  H01L 23/50

FI (4)：

H01L 23/48 V ,  B23K 35/26 310 A ,  H01B 5/02 A ,  H01L 23/50 D

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-161245   Applicant：九州日本電気株式会社
• 特開平1-259193
  
• Sn合金めっき材の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-328684   Applicant：古河電気工業株式会社
• 特開昭63-187654
  

Cited by examiner (4)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-161245   Applicant：九州日本電気株式会社
• 特開平1-259193
  
• Sn合金めっき材の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-328684   Applicant：古河電気工業株式会社
• 特開昭63-187654