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J-GLOBAL ID：200903052027782375

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 大谷 久 ,  宮永 昭治 ,  竹山 順一
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994031824
Publication number (International publication number)：1995221017
Application date： Feb. 03, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 結晶化を助長する触媒元素を用いて、結晶性を有する珪素膜を形成する。【構成】 ガラス基板11上に形成された非晶質珪素膜12上に極薄の酸化膜13を形成し、ニッケル等の触媒元素を10〜200ppm(要調整)添加した酢酸塩溶液等の水溶液14を滴下する。この状態で所定の時間保持し、スピナー15を用いてスピンドライを行なう。そして、550°C、1時間の加熱処理を行ない非晶質珪素膜12の表面に結晶核を形成する。さらにレーザー光を結晶核が形成された面側から行なうことよって、結晶成長を行なわせ結晶性珪素膜を得る。

Claim (excerpt)：

非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜に結晶核を導入する工程と、前記結晶核から結晶成長せしめ結晶性珪素膜を得る工程と、を有することを特徴とする半導体装置作製方法。

IPC (6)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-063017
  
• 多結晶半導体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-268469   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-319904   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-329761   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社