半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998059193
Publication number (International publication number)：1999260904
Application date： Mar. 11, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】素子分離溝の内壁に形成される絶縁膜の端部におけるリセスの発生を防止する技術を提供する。【解決手段】半導体基板1がSTI(Shallow Trench Isolation)方式により、酸化シリコン膜8が埋め込まれた素子分離溝5によって複数の活性領域に絶縁分離され、その活性領域にゲート酸化膜9を介して形成されたゲート電極10、ゲート電極10の両側に形成されたn型半導体領域12からなるソース領域およびドレイン領域を有するnチャネル型MISFETQnを含む半導体集積回路装置において、素子分離溝5は、その内壁が酸窒化シリコン膜7で覆われている。

Claim (excerpt)：

半導体基板が絶縁膜が埋め込まれた素子分離溝によって複数の活性領域に絶縁分離され、前記活性領域にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極、前記ゲート電極の両側に形成されたソース領域およびドレイン領域を有するMISFETを含む半導体集積回路装置であって、前記素子分離溝は、その内壁が酸窒化シリコン膜で覆われていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3)：

H01L 21/76 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 21/76 L , H01L 27/10 681 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

集積回路内のトレンチ分離構造および作成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-251545 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
特開昭59-193044
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-138989 Applicant：日本電気株式会社

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