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J-GLOBAL ID：200903052123592609

光スイッチング方法

Inventor： 池田 富樹 ,  堤 治
Applicant, Patent owner： 大日本インキ化学工業株式会社
Agent (1)： 高橋 勝利
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994289722
Publication number (International publication number)：1996146391
Application date： Nov. 24, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【構成】 配向処理された基板上に設けられたホトクロミズムを示すメソゲン基を側鎖とする高分子液晶化合物からなる層に光を照射して起こる光異性化により誘発されるレターデーション(retardation) の変化を利用する光スイッチング方法。【効果】 本発明の光スイッチング方法によれば、ホトクロミズムを示すメソゲン基を有する側鎖型高分子液晶を使用し、高分子液晶においても従来にない数百μ秒以下の高速応答が得られ、書き込み光で読み出し光をスイッチング動作させることができる。又、光書き込みによる情報を長期間保存でき、高温で情報消去が可能で、繰り返し書き込み及び消去が可能である。

Claim (excerpt)：

配向処理された基板上に設けられたホトクロミズムを示すメソゲン基を側鎖とする高分子液晶化合物からなる層に光を照射して起こる光異性化により誘発されるレターデーション(retardation) の変化を利用することを特徴とする光スイッチング方法。

IPC (3)：

G02F 1/1333 ,  G02F 1/13 500 ,  G03C 1/73 503

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光変調素子およびそれを用いた光メモリーの読み出し方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-229387   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 光変調素子材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-322206   Applicant：富士ゼロックス株式会社