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J-GLOBAL ID：200903052162000670

半導体基板の洗浄方法

Inventor： 大塚 進 ,  上村 賢一 ,  森 良弘
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996085342
Publication number (International publication number)：1997283480
Application date： Apr. 08, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 界面活性剤が添加された洗浄液により洗浄した半導体基板に付着した界面活性剤を取り除き、洗浄効果をより向上させ得る洗浄方法を提供する。【解決手段】 界面活性剤が添加された洗浄液により半導体基板を洗浄した後、該半導体基板をオゾン水により洗浄することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つ以上の炭化水素基を含む界面活性効果のある添加剤が添加された洗浄液により半導体基板を洗浄した後、該半導体基板をオゾン水により洗浄することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  C30B 33/10

FI (3)：

H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 M ,  C30B 33/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体シリコンウェーハの洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-205321   Applicant：信越半導体株式会社
• 洗浄剤及び洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-024850   Applicant：ダイキン工業株式会社
• 低表面張力アンモニア水組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-097516   Applicant：日産化学工業株式会社, 関東化学株式会社
• 半導体基板の洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-259353   Applicant：シヤープ株式会社