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J-GLOBAL ID：200903052163770143

窒化物系III-V族化合物半導体装置

Inventor： 寺口 信明
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998372600
Publication number (International publication number)：2000196067
Application date： Dec. 28, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 組成分布の均一なInGaN混晶を備え、チャネル電子移動度の大きな窒化物系III-V族化合物半導体装置を提供する。【解決手段】 この窒化物系III-V族化合物半導体装置は、InGaNチャネル層15をGaN/InN多層膜14の上に形成したから、組成分布が均一なInGaNチャネル層15を形成できる。その結果、従来よりも大きな電子移動度を有するHFETを実現できる。

Claim (excerpt)：

InGaNからなるInGaNチャネル層が、GaNおよびInNで構成されたGaN/InN多層膜の上に形成されていることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 29/80 H ,  H01L 21/205

F-Term (31)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045HA06 ,  5F045HA07 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒素含有半導体物質のデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-096411   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 3族窒化物半導体の製造方法及び半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-025852   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• III-V族窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-031238   Applicant：株式会社豊田中央研究所