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J-GLOBAL ID：200903052163770143

窒化物系III-V族化合物半導体装置

Inventor：
寺口 信明

About 寺口 信明


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998372600
Publication number (International publication number)：2000196067
Application date： Dec. 28, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 組成分布の均一なInGaN混晶を備え、チャネル電子移動度の大きな窒化物系III-V族化合物半導体装置を提供する。【解決手段】 この窒化物系III-V族化合物半導体装置は、InGaNチャネル層15をGaN/InN多層膜14の上に形成したから、組成分布が均一なInGaNチャネル層15を形成できる。その結果、従来よりも大きな電子移動度を有するHFETを実現できる。
Claim (excerpt)：
InGaNからなるInGaNチャネル層が、GaNおよびInNで構成されたGaN/InN多層膜の上に形成されていることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体装置。
IPC (4)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L 29/80 H ,  H01L 21/205
F-Term (31)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045HA06 ,  5F045HA07 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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