3族窒化物半導体の製造方法及び半導体素子

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996025852
Publication number (International publication number)：1997199759
Application date： Jan. 19, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】異種物質基板上に成長させるAlGaInN 系の半導体の結晶性の改善。【解決手段】異種物質の基板上に3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) を成長させる方法において、基板上に単結晶が成長しない温度でAlx1GaY1In1-X1-Y1N(0≦X1≦1, 0≦Y1≦1, 0≦X1+Y1 ≦1)を形成したバッファ層と、単結晶が成長する温度でAlx2GaY2In1-X2-Y2N(0≦X2≦1, 0≦Y2≦1, 0≦X2+Y2≦1,X1=X2,Y1=Y2 を含む) を形成した単結晶層とを交互に3層以上積層させ、その上に単結晶が成長する温度で目的とするAlx3GaY3In1-X3-Y3N(0≦X3≦1, 0≦Y3≦1, 0≦X3+Y3≦1, X1又はX2=X3, Y1又はY2=Y3 を含む)から成る層を形成する。

Claim (excerpt)：

異種物質の基板上に3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) を成長させる方法において、前記基板上に単結晶が成長しない温度でAlx1GaY1In1-X1-Y1N(0≦X1≦1, 0≦Y1≦1, 0≦X1+Y1 ≦1)を形成したバッファ層と、単結晶が成長する温度でAlx2GaY2In1-X2-Y2N(0≦X2≦1, 0≦Y2≦1, 0≦X2+Y2 ≦1,X1=X2,Y1=Y2 を含む) を形成した単結晶層とを交互に3層以上積層させ、その上に単結晶が成長する温度で目的とするAlx3GaY3In1-X3-Y3N(0≦X3≦1, 0≦Y3≦1, 0≦X3+Y3≦1, X1又はX2=X3, Y1又はY2=Y3 を含む) から成る層を形成したことを特徴とする3族窒化物半導体の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (14)

GaN単結晶およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-242967 Applicant：三菱電線工業株式会社
3-5族化合物半導体と発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-046785 Applicant：住友化学工業株式会社
化合物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-207204 Applicant：シャープ株式会社

Show all

Cited by examiner (14)

GaN単結晶およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-242967 Applicant：三菱電線工業株式会社
3-5族化合物半導体と発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-046785 Applicant：住友化学工業株式会社
化合物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-207204 Applicant：シャープ株式会社

Show all

Return to Previous Page