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J-GLOBAL ID：200903054894902378

III-V族窒化物半導体素子

Inventor： 加地 徹 ,  冨田 一義 ,  伊藤 健治
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 布施 行夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997031238
Publication number (International publication number)：1998214999
Application date： Jan. 30, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 特定のバッファ層を有することにより、結晶欠陥が少ない高品質の半導体層を含むIII-V族窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 III-V族窒化物半導体素子は、基板1、該基板1上に形成されたバッファ層20、および該バッファ層20上に形成された、複数のIII-V族窒化物半導体層からなる堆積層30を有する。前記バッファ層20は、少なくとも、In<SB>x</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<x≦1)で表されるIII-V族窒化物半導体、たとえばInNからなる第1バッファ層2、およびこの第1バッファ層より上にあって、Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0≦y≦1)で表されるIII-V族窒化物半導体、たとえばGaNからなる第2バッファ層3を含む。堆積層30は、たとえばレーザ構造を有する。

Claim (excerpt)：

基板、該基板上に形成されたバッファ層、および該バッファ層上に形成された、複数のIII-V族窒化物半導体層を含み、前記バッファ層は、少なくとも、In<SB>x</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<x≦1)で表されるIII-V族窒化物半導体からなる第1バッファ層、およびこの第1バッファ層より上にあって、Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0≦y≦1)で表されるIII-V族窒化物半導体を主成分とする第2バッファ層を含むことを特徴とするIII-V族窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038157   Applicant：株式会社東芝
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-235013   Applicant：ローム株式会社