Pat
J-GLOBAL ID：200903052312508872

裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法

Inventor：
宇家 眞司

About 宇家 眞司


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (2)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007043771
Publication number (International publication number)：2008210846
Application date： Feb. 23, 2007
Publication date： Sep. 11, 2008
Summary：
【課題】裏面照射型固体撮像素子の製造を容易にし小型パッケージ化を図る。【解決手段】半導体基板1の裏面側から入射した光を受光する光電変換素子及び該光電変換素子で検出された信号を外部に読み出す信号読出手段が半導体基板1の表面側に形成され、該表面側に支持基板54が貼り合わされる裏面照射型固体撮像素子の製造方法において、貼り合わされる前の支持基板54に、前記信号読出手段に電気的に接続される配線71が予め形成されている。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
半導体基板の裏面側から入射した光を受光する光電変換素子及び該光電変換素子で検出された信号を外部に読み出す信号読出手段が前記半導体基板の表面側に形成され、該表面側に支持基板が貼り合わされる裏面照射型固体撮像素子の製造方法において、前記貼り合わされる前の前記支持基板に、前記信号読出手段に電気的に接続される配線が予め形成されていることを特徴とする裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
IPC (2)：
H01L 27/148 ,  H01L 27/14
FI (2)：
H01L27/14 B ,  H01L27/14 D
F-Term (19)：
4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA32 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA35 ,  4M118GA02 ,  4M118GB04 ,  4M118GB07 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118HA02 ,  4M118HA26 ,  4M118HA30 ,  4M118HA31
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • 特許第3722367号公報
  • 特許第2821062号公報
  • 固体撮像素子とその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-176496   Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
Show all
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM