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J-GLOBAL ID：200903052316270862

化合物半導体装置

Inventor：
長原 正樹

About 長原 正樹


Applicant, Patent owner：
富士通カンタムデバイス株式会社

About 富士通カンタムデバイス株式会社


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001217046
Publication number (International publication number)：2002100642
Application date： Jul. 17, 2001
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：
【要約】【課題】 高速化合物半導体装置において、ゲート耐圧を増大させ、大電力動作を可能にする。【解決手段】 ゲート電極としてドレイン方向に延在する延在部を有するガンマ型電極を使い、前記電極延在部直下のパッシベーション膜およびキャップ層の厚さを、前記ゲート電極のドレイン端近傍の等ポテンシャル面が、前記延在部に対応して変形するように設定する。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板上に形成された電子走行層と、前記電子走行層上に形成されたキャップ層と、前記キャップ層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜および前記キャップ層を貫通するゲートリセス開口部と、前記ゲートリセス開口部中に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の第1の側において、前記キャップ層表面から前記チャネル層まで延在するn型のソース領域と、前記ゲート電極の第2の側において、前記キャップ層表面から前記チャネル層まで延在するn型のドレイン領域と、前記ソース領域に電気的にコンタクトするソース電極と、前記ドレイン領域に電気的にコンタクトするドレイン電極とを備え、前記ゲート電極は、前記絶縁膜上を前記ゲートリセス開口部から前記第2の側の方向に延在する延在部を有するΓ型形状を有し、前記絶縁膜と前記キャップ層の合計の厚さは、前記ゲート電極の延在部直下における電界が、前記キャップ層中において前記基板主面に対して垂直な方向に作用する実質的な大きさの成分を有するように設定されることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (2)：
H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 H
F-Term (23)：
5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK06 ,  5F102GL05 ,  5F102GM06 ,  5F102GM08 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ02 ,  5F102GQ03 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GS06 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC16 ,  5F102HC21 ,  5F102HC30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 電界効果型トランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-268394   Applicant：日本電気株式会社
  • 電界効果型半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-136606   Applicant：富士通株式会社
  • 特開昭60-145669
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