電界効果型半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柏谷昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998136606
Publication number (International publication number)：1999330092
Application date： May. 19, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】電界効果型半導体装置に関し、高逆方向耐圧BVgd及び高最大ドレイン電流Idmax特性を有する電界効果型半導体装置を提供する。【解決手段】チャネル層2を構成する半導体の禁制帯幅をキャップ層3を構成する半導体の禁制帯幅より広くするとともに、キャップ層3に、ドレイン領域5を構成する高不純物濃度領域に変換された領域の少なくともゲート電極4側の端部を完全に除去した凹部9を設ける。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にチャネル層及びキャップ層とを少なくとも設け、前記キャップ層内に埋め込まれたゲート電極を有する電界効果型半導体装置において、前記チャネル層を構成する半導体の禁制帯幅を前記キャップ層を構成する半導体の禁制帯幅より広くするとともに、前記キャップ層に、ドレイン領域を構成する高不純物濃度領域に変換された領域の少なくともゲート電極側の端部を完全に除去した凹部を設けたことを特徴とする電界効果型半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

電界効果トランジスタ、及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-313098 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-040160 Applicant：富士通株式会社
特開平1-268067

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