単結晶体の熱処理方法及びその熱処理装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：須田正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999339168
Publication number (International publication number)：2001158700
Application date： Nov. 30, 1999
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】単結晶体の大きさに拘わらず、単結晶体の表面のみならず内部に存在する空孔型グローイン欠陥等の格子欠陥を消滅又は分散させる。また熱処理中における単結晶体の表面及び内部の揮発物質等による汚染を防止する。【解決手段】 0.2〜304MPaの圧力のガスを導入可能な筒状の圧力容器11内に挿入されたカーボン又はSiC製のコンテナ13の内部に単結晶体12が収容され、単結晶体をこの単結晶体の絶対温度による融点の0.85倍以上の温度まで加熱可能なヒータ14がコンテナの外周面を所定の間隔をあけて囲む。単結晶体はこの単結晶体と同一材質の板部材26を介してコンテナに収容され、コンテナと単結晶体との間にはこの単結晶体と同一材質で純度99.999999999%以上の多結晶粒子27が充填される。多結晶粒子の平均粒径は0.3〜3.0mmであり、単結晶体の安定な雰囲気は不活性ガス雰囲気等である。

Claim (excerpt)：

単結晶体(12)をこの単結晶体(12)と同一材質の板部材(26)上に載せてカーボン又はSiC製のコンテナ(13)に収容し、前記コンテナ(13)内に前記単結晶体(12)と同一材質で純度99.999999999%以上の多結晶粒子(27)を充填した状態で、前記単結晶体(12)の安定な雰囲気下、0.2〜304MPaの圧力で前記単結晶体(12)の絶対温度による融点の0.85倍以上の温度で5分間〜20時間、熱間等方圧加圧処理を行った後に徐冷することを特徴とする単結晶体の熱処理方法。

IPC (3)：

C30B 33/02 , H01L 21/324 , H01L 21/477

FI (4)：

C30B 33/02 , H01L 21/324 C , H01L 21/324 X , H01L 21/477

F-Term (12)：

4G077AA02 , 4G077AA10 , 4G077BA04 , 4G077BE32 , 4G077BE34 , 4G077BE44 , 4G077BE46 , 4G077FE02 , 4G077FE08 , 4G077FE10 , 4G077FE17 , 4G077HA12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開平4-295100
炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-098566 Applicant：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー
単結晶引上げ方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-046994 Applicant：新技術事業団, 佐々木斉, 安斎裕, 寺嶋一高