Pat

J-GLOBAL ID：200903052489560424

半導体装置の製造方法

Inventor： 工藤 寛 ,  佐藤 幸博
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995020086
Publication number (International publication number)：1996213386
Application date： Feb. 08, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、熱処理を加えても、フッ素が膜中から放出されない安定したSiOF膜を得られるようにする。【構成】 化学気相堆積法を適用することに依り、反応室1内のプレート4上に在るウエハ15に気化されたTEOS及びC2 F6 ガス及びO2 ガスの混合物ガスをシャワー・ヘッド5を介して噴射し、フッ素含有シリコン酸化膜の成膜を行い、その後、ウエハ15上の前記フッ素含有シリコン酸化膜をO2 ,N2 ,N2O,O3 ,NO2 ,CO,CO2 のうち少なくとも一種類以上のガスを用いたプラズマ雰囲気に曝すことで、熱処理工程に於けるフッ素の放出を抑止する。

Claim (excerpt)：

化学気相堆積法を適用することに依って基板上にフッ素含有シリコン酸化膜を成膜する工程と、その後、該フッ素含有シリコン酸化膜をO2 ,N2 ,N2 O,O3 ,NO2 ,CO,CO2 のうち少なくとも一種類以上のガスを用いたプラズマ雰囲気に曝す工程とが含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体装置の層間絶縁膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-010043   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-292107   Applicant：住友金属工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-285211   Applicant：沖電気工業株式会社

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の層間絶縁膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-010043   Applicant：ソニー株式会社