半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999044223
Publication number (International publication number)：2000243860
Application date： Feb. 23, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】同一基板に2層ポリシリコン縦型バイポーラトランジスタとMISFETとを有する半導体装置の多結晶シリコン膜の低抵抗化、工程数および材料費の増加を抑制する。【解決手段】ベース引き出し電極8B、エミッタ引き出し電極8Eが2層構造で形成されたバイポーラトランジスタと、ゲート電極12を有するMISFETと、抵抗体16およびその引き出し電極17を有する抵抗素子とが同一基板に形成された半導体装置において、バイポーラトランジスタ、MISFETおよび抵抗素子を形成後、ベース引き出し電極8B、エミッタ引き出し電極8E、ゲート電極12および引き出し電極17上の絶縁膜をエッチバックして除去し、その後、チタン膜の堆積、熱処理および未反応チタンの選択的除去の各工程からなるサリサイド技術を適用してシリサイド層20を形成する。

Claim (excerpt)：

同一基板にバイポーラトランジスタおよびMISFETを含み、前記バイポーラトランジスタのエミッタに接続されたエミッタ引き出し電極が前記バイポーラトランジスタのベースに接続されたベース引き出し電極上に形成された半導体装置であって、前記エミッタ引き出し電極、前記ベース引き出し電極および前記MISFETのゲート電極がシリコンを主成分とする膜からなり、前記エミッタ引き出し電極、前記ベース引き出し電極、前記ゲート電極、前記バイポーラトランジスタのコレクタ引き出し部、および、前記MISFETのソース・ドレインを構成する活性領域、の各表面に、同時に形成された金属シリサイド層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (9)：

H01L 21/8249 , H01L 27/06 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8222 , H01L 21/8234 , H01L 29/43 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (6)：

H01L 27/06 321 B , H01L 27/04 P , H01L 27/06 101 U , H01L 27/06 102 A , H01L 29/46 D , H01L 29/72

F-Term (76)：

4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB20 , 4M104BB25 , 4M104BB28 , 4M104DD04 , 4M104DD43 , 4M104DD66 , 4M104DD84 , 4M104DD89 , 4M104EE08 , 4M104FF14 , 5F003AZ03 , 5F003BA27 , 5F003BA96 , 5F003BB01 , 5F003BB05 , 5F003BB06 , 5F003BB07 , 5F003BB08 , 5F003BC01 , 5F003BC08 , 5F003BH07 , 5F003BH18 , 5F003BJ15 , 5F003BJ20 , 5F003BP08 , 5F003BP23 , 5F003BP31 , 5F003BP41 , 5F003BP93 , 5F003BS06 , 5F003BS08 , 5F038AR08 , 5F038AR09 , 5F038EZ06 , 5F038EZ14 , 5F038EZ17 , 5F048AA09 , 5F048AC07 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA17 , 5F048BB05 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BC06 , 5F048BG01 , 5F048BG05 , 5F048CA03 , 5F048CA04 , 5F048CA07 , 5F048CA14 , 5F048CA15 , 5F048DA25 , 5F082AA38 , 5F082BA05 , 5F082BA06 , 5F082BA10 , 5F082BA13 , 5F082BA16 , 5F082BA22 , 5F082BA28 , 5F082BA47 , 5F082BC04 , 5F082BC09 , 5F082BC18 , 5F082EA10 , 5F082EA15 , 5F082EA22 , 5F082EA32 , 5F082EA45 , 5F082GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-161014 Applicant：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
ショットキーバリアダイオードを有する半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-330037 Applicant：三菱電機株式会社

Return to Previous Page