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J-GLOBAL ID:200903052722245542

単結晶の育成方法および装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 杉村 暁秀 (外9名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997075328
Publication number (International publication number):1998265293
Application date: Mar. 27, 1997
Publication date: Oct. 06, 1998
Summary:
【要約】【課題】マイクロ引下げ法によって単結晶を連続的に育成するのに際して、単分域化した単結晶を育成しうるようにすることであり、これによって育成後の単結晶を単分域化する必要をなくすることである。【解決手段】単結晶材料の溶融物をルツボ7から引下げつつ、冷却して単結晶14を生成させる。単結晶14の冷却過程で、キュリー点付近において、単結晶14に温度勾配を設けることによって、単結晶を引き下げるのと共に連続的に単分域化させることを特徴とする。キュリー点付近において単結晶14に温度勾配を設けるための温度制御機構12A、12Bを備えている。
Claim (excerpt):
単結晶材料の溶融物をルツボから引下げつつ、冷却して単結晶を生成させる、単結晶の育成方法であって、前記単結晶の冷却過程で、キュリー点付近において前記単結晶に温度勾配を設けることによって、前記単結晶を引き下げるのと共に連続的に単分域化させることを特徴とする、単結晶の育成方法。
IPC (3):
C30B 15/08 ,  C30B 29/30 ,  C30B 29/60
FI (3):
C30B 15/08 ,  C30B 29/30 A ,  C30B 29/60
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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