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J-GLOBAL ID：200903052785411388

高効率および/または高電力密度のワイドバンドギャップトランジスタ

Inventor： ウー イーフェン ,  プリミット パリーク ,  ウメシュ ミシュラ ,  マルシア ムーア
Applicant, Patent owner： クリー インコーポレイテッド
Agent (2)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009502811
Publication number (International publication number)：2009531859
Application date： Mar. 05, 2007
Publication date： Sep. 03, 2009
Summary：

少なくとも4GHzの周波数で動作する場合に、40W/mm以上の電力密度を持つ電界効果トランジスタを提供する。135Vのドレイン電圧で、少なくとも40W/mmの電力密度を提供することができる。また、28V乃至48Vのドレインバイアスを与え、10GHzで動作させる場合、60%以上のPAEと少なくとも5W/mmの電力密度を有するトランジスタを提供する。

Claim (excerpt)：

電界効果トランジスタであって、 III族窒化物チャネル層と、 前記III族窒化物チャネル層の上にあるゲート電極であって、前記ゲート電極に電圧を印加した場合に前記チャネル層の導電率を変調するように構成され、1GHzを超える周波数で前記チャネル層の導電率の変調を可能とするように構成された長さを有する前記ゲート電極と、 前記III族窒化物チャネル層の上にあるソース電極およびドレイン電極と、 前記ゲート電極の上にある絶縁層と、 前記絶縁層の上にあり、前記ソース電極に電気的に連結するフィールドプレートと を備え、 前記電界効果トランジスタが、少なくとも4GHzの周波数において連続波、またはパルス動作のもとで40W/mm以上の電力密度を示すことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/28

FI (4)：

H01L29/80 H ,  H01L29/44 Y ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/80 Q

F-Term (44)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB22 ,  4M104DD17 ,  4M104DD78 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104FF28 ,  4M104FF31 ,  4M104GG12 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GL08 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (29)

• 米国特許第5,192,987号明細書
  
• 米国特許出願公開第10/849,617号明細書、出願日2004年5月20日
  
• 米国特許出願公開第10/849,589号明細書、出願日2004年5月20日
  
• 米国特許出願公開第2003/0020092号明細書、出願日2002年7月23日、公開日2003年1月30日
  
• 米国特許出願公開第10/996,249号明細書、出願日2004年11月23日
  
• 米国特許出願公開第2003/0102482A1号明細書、出願日2002年7月19日、公開日2003年6月5日
  
• 米国特許出願公開第2004/0012015A1号明細書、出願日2002年7月19日、公開日2004年1月22日
  
• 米国再発行特許第34,861号明細書
  
• 米国特許第4,946,547号明細書
  
• 米国特許第5,200,022号明細書
  
• 米国特許第6,218,680号明細書
  
• 米国特許第5,296,395号明細書
  
• 米国特許第5,210,051号明細書
  
• 米国特許第5,393,993号明細書
  
• 米国特許第5,523,589号明細書
  
• 米国特許第5,592,501号明細書
  
• 米国特許第5,686,738号明細書
  
• 米国特許出願公開第2002/0167023A1号明細書
  
• 米国特許出願公開第11/078,265号明細書、出願日2005年3月11日
  
• 米国特許出願公開第10/930,160号明細書、出願日2004年8月31日
  
• 米国特許出願公開第10/856,098号明細書、出願日2004年5月28日
  
• 国際特許出願公開第WO/2005/024909号明細書、出願日2004年9月9日、公開日2005年3月17日
  
• 米国特許第6,316,793号明細書
  
• 米国特許第6,586,761号明細書
  
• 米国特許出願公開第2002/0066908A1号明細書、出願日2001年7月12日、公開日2002年6月6日
  
• 米国特許出願公開第2002/0167023A1号明細書、公開日2002年11月14日
  
• 米国特許出願公開第10/617,843号明細書、出願日2003年7月11日
  
• 米国特許出願公開第10/772,882号明細書、出願日2004年2月5日
  
• 米国特許出願公開第10/897,726号明細書、出願日2004年7月23日
  

Cited by examiner (2)

• 窒化物半導体薄膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-176527   Applicant：日本電信電話株式会社
• バリア/スペーサ層を有するIII族窒化物系の高電子移動度トランジスタ(HEMT)
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-590421   Applicant：クリーインコーポレイテッド, ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・カリフォルニア