バリア/スペーサ層を有するIII族窒化物系の高電子移動度トランジスタ(HEMT)

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (6)：社本一夫 , 増井忠弐 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 大塚住江
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002590421
Publication number (International publication number)：2005509274
Application date： Apr. 11, 2002
Publication date： Apr. 07, 2005
Summary：

【課題】高周波特性を改善する。【解決手段】III族窒化物系高電子移動度トランジスタ(HEMT)10は、GaNバッファ層26を備えており、Ganバッファ層26上にAlyGa1-yN(y=1又は≒1)層28がある。AlxGa1-xN(0≦x≦0.5)バリア層30が、GaNバッファ層26の反対側でAlyGa1-yN層28上にあり、該層28のAl濃度は、バリア層30よりも高い。GaNバッファ層26とAlyGa1-yN層28との間の界面に2DEG38が形成されている。バリア層30上に、ソース、ドレイン、及びゲート・コンタクト32、34、36が形成されている。また、AlyGa1-yN層28の反対側において、バッファ層26に隣接する基板22も含み、GaNバッファ層26と基板22との間に、核生成層24を含むことができる。

Claim (excerpt)：

高電子移動度トランジスタ(HEMT)(20)であって、 GaNバッファ層(26)と、 GaNバッファ層(26)上のAlyGa1-yN層(28)と、 GaNバッファ層(26)の反対側で、AlyGa1-yN層(28)上にあるAlxGa1-xNバリア層(30)であって、AlyGa1-yN層(28)のAl含有量が、AlxGa1-xNバリア層(30)のAl含有量よりも多い、AlxGa1-xNバリア層(30)と、 GaNバッファ層(26)とAlyGa1-yN層(28)との間のインターフェースにある2DEGと、からなることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。

IPC (3)：

H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (2)：

H01L29/80 H , H01L29/80 Q

F-Term (23)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK09 , 5F102GL04 , 5F102GL08 , 5F102GL09 , 5F102GL20 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC04 , 5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

電界効果型トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-259681 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-056529 Applicant：日本電信電話株式会社
ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-022516 Applicant：日本電気株式会社

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