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J-GLOBAL ID：200903052787655071

半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 濱武 伸寿
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 畑 泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999206528
Publication number (International publication number)：2001036037
Application date： Jul. 21, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】 Vtの高い完全空乏化型(FD)PMOSトランジスタで構成された半導体装置であって、特には、DRAMを提供すると共に、それらの製造方法を提供する。【解決手段】 セルトランジスタ20がSOI基板1上に形成されたPMOSトランジスタ30のみで構成されている半導体装置10。

Claim (excerpt)：

セルトランジスタがSOI基板上に形成されたPMOSトランジスタのみで構成されている事を特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/786

FI (5)：

H01L 27/10 671 C ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/10 671 Z ,  H01L 27/10 681 F ,  H01L 29/78 613 B

F-Term (20)：

5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB06 ,  5F048BD01 ,  5F083AD00 ,  5F083GA01 ,  5F083GA06 ,  5F083HA02 ,  5F083PR36 ,  5F083ZA05 ,  5F083ZA08 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110BB06 ,  5F110CC02 ,  5F110EE09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-113377   Applicant：株式会社東芝
• 半導体メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-197708   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平3-212973
  
• 特開平4-357865