Pat
J-GLOBAL ID：200903052887957121

半導体装置の製造方法

Inventor：
天田 春男

About 天田 春男


Applicant, Patent owner：
株式会社ルネサステクノロジ

About 株式会社ルネサステクノロジ


Agent (1)： 梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002353231
Publication number (International publication number)：2004186522
Application date： Dec. 05, 2002
Publication date： Jul. 02, 2004
Summary：
【課題】半導体ウエハを割れや欠けを発生させずに薄仕上げし、半導体ウエハ裏面に金被膜をスループットよく成膜する。【解決手段】半導体ウエハ20の半導体素子形成面21に保護テープ24を真空中でガス放出量の少ない熱可塑性樹脂で構成したホットメルト接着層25によって接着する。この状態で、半導体ウエハの裏面を研削しウエットエッチングし、さらに、半導体ウエハの裏面に金被膜を成膜する。【効果】半導体ウエハを保護テープで補強しながら薄仕上げすることで、半導体ウエハの反り、撓み、チッピングや割れを防止できる。半導体ウエハ裏面金被膜形成工程においてガス放出を防止できるので、所定の真空度に減圧される迄の到達時間を短縮してスループットを向上できる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第一主面に半導体素子を含む集積回路が形成された半導体ウエハを製造する前工程と、この前工程の後に前記半導体ウエハの第一主面に少なくともホットメルト接着層を有する保護テープを貼り付ける保護テープ貼付工程と、この保護テープ貼付工程の後に前記半導体ウエハの第二主面を加工する加工工程と、この加工工程の後に半導体ウエハの第二主面に金属膜を成膜する成膜工程と、この成膜工程の後に前記半導体ウエハの第一主面に貼り付けた保護テープを剥離する剥離工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L21/304 ,  H01L21/02
FI (3)：
H01L21/304 622J ,  H01L21/304 631 ,  H01L21/02 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM