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J-GLOBAL ID：200903052900924025

水素熱処理用シリコンウェーハ及びその製造方法

Inventor：
最勝寺 俊昭

About 最勝寺 俊昭

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中村 浩三

About 中村 浩三

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冨岡 純輔

About 冨岡 純輔


Applicant, Patent owner：
コマツ電子金属株式会社

About コマツ電子金属株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997027213
Publication number (International publication number)：1998208987
Application date： Jan. 27, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：
【要約】【課題】 水素熱処理によりシリコンウェーハの酸化膜耐圧を向上させるに当たり、少なくともウェーハ表面から3μm以上の深さにまで前記耐圧特性の効果を及ぼすことができるような水素熱処理用シリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 CZ法によるシリコン単結晶の育成時、grown-in欠陥が形成される1150〜1080°Cの温度領域(欠陥形成温度帯)での冷却速度を2.0°C/min以上とし、as-grown時のLSTD密度が3.0×106 /cm3 以上、又はFPD密度が6.0×105 /cm3 以上の単結晶を製造する。このような単結晶は欠陥サイズが小さいため、水素ガスを含む非酸化性雰囲気中での熱処理により欠陥の消滅速度が増加し、水素熱処理の効果がウェーハ表面から3μm以上の深さにまで及ぶ。
Claim (excerpt)：
水素ガスを含む非酸化性雰囲気中で熱処理を行う水素熱処理用シリコンウェーハであって、as-grown時のLSTD密度が3.0×106 /cm3 以上、又はFPD密度が6.0×105 /cm3 以上であることを特徴とする水素熱処理用シリコンウェーハ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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