3族窒化物半導体発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995145449
Publication number (International publication number)：1996316587
Application date： May. 18, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】短波長半導体レーザの実現化【構成】サファイア基板1上に500 ÅのAlN のバッファ層2、膜厚約2.0 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約1.0 μm、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープのAl0.08Ga0.92N から成るn伝導型のクラッド層4、膜厚約0.05μm、のIn0.08Ga0.92N から成る活性層5、膜厚約1.0 μm、ホール濃度5 ×1017/cm3、濃度1 ×1020/cm3にマグネシウムがドープされたAl0.08Ga0.92N から成るp伝導型のクラッド層61、膜厚約0.2 μm、ホール濃度 2×1017/cm3、マグネシウム濃度 2×1020/cm3のマグネシウムドープのGaN から成るコンタクト層62が形成されている。各層の厚さの適正な設定によりクラックの発生しない良質な結晶層を得ることができる。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) から成り、活性層が両側からクラッド層で挟まれた3層構造を有する発光素子において、前記クラッド層の厚さを0.5〜2μmとしたことを特徴とする発光素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 , H01L 27/12 , H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 , H01L 27/12 S , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

化合物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-098633 Applicant：シャープ株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-075005 Applicant：株式会社日立製作所
化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-043581 Applicant：株式会社東芝

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