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J-GLOBAL ID：200903052986441501

活性原子の供給制御方法

Inventor：
佐藤 理夫

About 佐藤 理夫


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994066913
Publication number (International publication number)：1995283140
Application date： Apr. 05, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：
【要約】【目的】半導体薄膜や絶縁膜等の各種薄膜の製造技術、種々のドライエッチング技術あるいは表面処理技術等に用いられる各種原料ガスを活性化するためのプラズマ点火および停止を含め、原料ガスのプラズマ状態の制御を容易に行える活性原子の供給制御法を提供する。【構成】あらかじめ活性原子供給装置に、元素の周期律表0族に属する不活性ガスのプラズマ領域を形成させ、このプラズマ領域に原料ガスの所定量を断続的もしくは連続的に供給してプラズマ状態を制御するか、もしくは不活性ガスと原料ガスの混合ガスにプラズマを点火した後、プラズマ状態を制御して活性原子の供給量を制御する。【効果】不純物の取り込みが少なく、組成が均質で高品質の薄膜が形成でき、ドライエッチングや表面処理において清浄で品質の良い表面が得られる。
Claim (excerpt)：
原料ガスをプラズマ状態に活性化して活性原子を反応容器に供給制御する方法において、あらかじめ活性原子供給装置の設定の位置に、元素の周期律表0族に属する不活性ガスのプラズマ領域を形成しておき、該プラズマ領域内に、所望の原料ガスを断続的もしくは連続的に供給して、原料ガスのプラズマ状態を調整し活性原子の供給量を制御することを特徴とする活性原子の供給制御方法。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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