Pat

J-GLOBAL ID：200903053052083720

パワー半導体モジュール

Inventor： 丹波 昭浩 ,  山田 一二 ,  斎藤 隆一 ,  茂村 達也 ,  薗部 幸男 ,  佐々木 正貴 ,  鈴木 和弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996034592
Publication number (International publication number)：1997232512
Application date： Feb. 22, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】高信頼パワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】パワー回路部と、モジュール底部を封止する金属ベースと、該金属ベースと前記パワー回路部とを電気的に絶縁する絶縁基板と、前記パワー回路部に接続される外部入出力端子と、前記外部入出力端子が一体成型された樹脂製ケースと、樹脂封止材とを備えたパワー半導体モジュールにおいて、外部入出力端子のネジ止め用ナットと樹脂製ケースと金属ベースを一体成型し、ナットの下に樹脂製ケースを貫通しない空隙と金属ベースを配置する。【効果】信頼性が高い高電圧・大電流モジュールを実現できる。

Claim (excerpt)：

パワー半導体素子を備えたパワー回路部と、該パワー回路部を制御する制御回路部と、モジュール底部を封止する金属ベースと、該金属ベースと前記パワー回路部とを電気的に絶縁する絶縁基板と、前記パワー回路部に接続される外部入出力端子と、前記外部入出力端子が一体成型された樹脂製ケースと、樹脂封止材とを備えたパワー半導体モジュールにおいて、前記外部入出力端子のネジ止め用ナットと前記樹脂製ケースとが一体成型され、かつ該ナットの下に前記樹脂製ケースを貫通しない空隙を備えていることを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (2)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体パワーモジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-172774   Applicant：三菱電機株式会社
• パワー半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-197331   Applicant：富士電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-214119   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平4-030566
  
• 特開昭59-099753
  
• 電力用半導体装置、その外装ケースとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-225159   Applicant：三菱電機株式会社