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J-GLOBAL ID：200903053058067751

バリアメタル積層膜構造体、その積層膜の形成方法および配線の形成方法

Inventor：
浮島 禎之

About 浮島 禎之

, 
佐藤 昌敏

About 佐藤 昌敏


Applicant, Patent owner：
株式会社アルバック

About 株式会社アルバック


Agent (1)： 北村 欣一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000094081
Publication number (International publication number)：2001284356
Application date： Mar. 30, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 プラズマCVD法により形成される、比抵抗が低くかつバリア性に優れると共に、導電膜との密着性にも優れたバリアメタル膜、およびその形成方法ならびにこの膜を利用した配線形成方法の提供。【解決手段】 タンタルハロゲン化物、窒素源ガス、およびシリコン源ガスをプラズマ分解し、基板上にアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物膜を形成する第1工程と、該シリコン源ガスの導入を中止し、第1工程と同様の操作を続けて、該タンタル・シリコン窒化物膜上にアモルファス状のタンタル窒化物膜を形成する第2工程とを含む。第2工程において、シリコン源ガスの導入を中止することにより、タンタル・シリコン窒化物膜上にシリコン含有量が徐々に減少した傾斜膜であるアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に設けられたアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物膜(ただし、シリコン含有量は5〜30at%である)と、その上に設けられた、シリコン含有量が徐々に減少した傾斜膜であるアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物とからなるバリアメタル積層膜構造体。
IPC (4)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/768
FI (4)：
H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 C
F-Term (33)：
4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD49 ,  4M104DD52 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG13 ,  4M104HH01 ,  4M104HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033LL09 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033WW04 ,  5F033WW10 ,  5F033XX05 ,  5F033XX12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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