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J-GLOBAL ID：200903053143440097

半導体装置およびその作製方法

Inventor：
張 宏勇

About 張 宏勇


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996215257
Publication number (International publication number)：1997191111
Application date： Jul. 26, 1996
Publication date： Jul. 22, 1997
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 使用するマスク数を増やさず、また不純物の高ドーズ・イオン注入の問題点を巧みに回避して、PチャネルとNチャネルの薄膜トランジスタを同時に形成し、CMOS構造を安価に提供する。【解決手段】 ガラス基板上に薄膜トランジスタでもってCMOS構造を形成する際にNチャネル型の薄膜トランジスタにはLDD領域126,127を設ける。またPチャネル型の薄膜トランジスタの形成の際にはNチャネル型の薄膜トランジスタの形成の際に形成された低濃度不純物領域126,127をBイオンの注入によって反転させる。このような構成とすることによって、LDD領域を有したNチャネル型の薄膜トランジスタとLDD領域を有しないPチャネル型の薄膜トランジスタでもってCMOS構造を得ることができる。
Claim (excerpt)：
同一基板上にNチャネル型の薄膜トランジスタとPチャネル型の薄膜トランジスタとが集積化された構成を有し、前記Nチャネル型の薄膜トランジスタのみに選択的にLDD領域が形成されており、前記Pチャネル型の薄膜トランジスタのソースおよびドレイン領域にはP型を付与する不純物とN型を付与する不純物とが添加されており、かつ前記N型を付与する不純物の濃度より前記P型を付与する不純物の濃度の方が高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5)：
H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 617 A ,  H01L 29/78 617 W
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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