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J-GLOBAL ID：200903042359283105

光反射構造及びその製造法、並びに光デバイス

Inventor： 川西 英雄 ,  末松 安晴 ,  白井 俊雄 ,  久我 裕一郎 ,  春山 牧子
Applicant, Patent owner： 川西 英雄
Agent (1)： 田中 常雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995090907
Publication number (International publication number)：1996288577
Application date： Apr. 17, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 窒化物半導体で、レーザ発振可能な平滑な光反射面を得る。【構成】 6H-SiCを基板10とし、その(0,0,0,1)面上に、AlGaN層12、GaN層14及びAlGaN層16をエピタキシャル成長させる。基板10の下側に電極18を、最上層16の上にも電極20をそれぞれ蒸着する。基板10を100μm、以下、好ましくは60μm以下にまで薄くし、(1,-1,0,0)面に平行な方向にメスを立てる。これにより、(1,-1,0,0)面でへき開する。このようにして、光共振のための2つの反射面をへき開により形成し、他の2辺をスクライバで切断する。ここでは、結晶面の表記方法を通常とは若干変更し、例えば、(100)面は、(1,0,0)面と表記し、x軸のマイナス方向に位置してこれと等価な面を(-1,0,0)と表記する。

Claim (excerpt)：

六方晶系の結晶構造を有する半導体において、結晶面{1,-1,0,0}を光反射面とすることを特徴とする光反射構造。

IPC (2)：

H01S 3/085 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01S 3/08 S ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-295433   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-003033   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-016586   Applicant：株式会社日立製作所