レーザーエッチング方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋昌久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000229884
Publication number (International publication number)：2002043605
Application date： Jul. 28, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】従来のレーザースクライビング法が本質的に齎す欠点を克服して、素子特性を劣化させない光電変換効率のすぐれた光電変換装置を与える、レーザーエッチング法、さらには、前記特性を備え、且つ加工速度の高いレーザーエッチング法の提供。【解決手段】透明電極膜、非晶質半導体膜もしくは金属電極膜にレーザービームを照射して該膜を平面において分離するための分離溝を形成する方法において、該膜上の照射部のレーザービーム強度分布を分離溝方向とこれに直角方向で異ならせ、分離溝方向はガウス分布とし、分離溝方向に直角な方向は略矩形分布とする。

Claim (excerpt)：

透明基板上に導電性透明電極膜、非晶質半導体膜、金属電極膜の積層膜を有し、モジュール単位に基板上で分離され且つ該分離されたモジュールが基板上で直列に接続された光起電力装置の製造方法において、透明電極膜、非晶質半導体膜もしくは金属電極膜にレーザービームを照射して該膜を平面において分離するための分離溝を形成する方法であって、該膜上の照射部のレーザービーム強度分布を分離溝方向とこれに直角方向で異ならせ、分離溝方向はガウス分布とし、分離溝方向に直角な方向は略矩形分布とすることを特徴とするレーザーエッチング方法。

IPC (6)：

H01L 31/04 , B23K 26/00 , B23K 26/06 , H01L 21/302 , H01S 3/00 , B23K101:36

FI (6)：

B23K 26/00 C , B23K 26/06 E , H01S 3/00 B , B23K101:36 , H01L 31/04 S , H01L 21/302 Z

F-Term (24)：

4E068AC00 , 4E068CD05 , 4E068DA00 , 4E068DA09 , 5F004BB03 , 5F004EA38 , 5F051AA05 , 5F051BA11 , 5F051EA02 , 5F051EA09 , 5F051EA10 , 5F051EA11 , 5F051EA16 , 5F051GA03 , 5F072AB02 , 5F072JJ02 , 5F072JJ09 , 5F072KK05 , 5F072KK30 , 5F072MM08 , 5F072MM09 , 5F072RR01 , 5F072SS06 , 5F072YY08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭62-040986
特開昭61-259524
レーザ加工装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-210800 Applicant：三菱重工業株式会社

Show all

Return to Previous Page