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J-GLOBAL ID：200903053202168878

半導体素子および半導体装置

Inventor： 水澤 由美 ,  木崎 幸男 ,  森 三樹 ,  斉藤 雅之 ,  本間 荘一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995181610
Publication number (International publication number)：1997036169
Application date： Jul. 18, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 絶縁基板上のアルミニウム配線パターンに半導体素子がバンプ電極を介して良好に接続され、高い信頼性を有する半導体素子を提供する。【解決手段】 絶縁基板上に形成されたアルミニウム配線パターンにバンプを介して電気的に接続される半導体素子である。前記バンプの最表面に金薄膜が形成されており、この金薄膜の厚さは、前記アルミニウム配線パターンの膜厚の2/3倍以上2倍以下であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成されたアルミニウム配線パターンにバンプを介して電気的に接続される半導体素子において、前記バンプの最表面に金薄膜が形成されており、この金薄膜の厚さは、前記アルミニウム配線パターンの膜厚の2/3倍以上2倍以下であることを特徴とする半導体素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 特開昭62-090939
  
• 特開昭61-210649
  
• 半導体チツプキヤリアとそれを実装したモジユール及びそれを組み込んだ電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-165557   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-264517   Applicant：松下電器産業株式会社
• 電子回路装置及びその製造方法及び回路基板及び液晶表示装置及びサーマルヘッド及びプリンタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038192   Applicant：株式会社東芝
• バンプ及びそれを用いた半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-208943   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-090939
  
• 特開昭62-090939