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J-GLOBAL ID：200903053258771917

プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置

Inventor： 寺崎 昌人 ,  筒口 和典
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 宮本 治彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996356974
Publication number (International publication number)：1997235676
Application date： Dec. 26, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】プラズマ処理終了後の基板搬送ミスや絶縁破壊を防止できるプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】基板10を基板載置台44上に載置し、内槽70内を排気する一方で、反応ガス導入管37から反応ガスSiH4 、およびN2 Oを内槽70内に導入して内槽70内を30〜100Paの圧力に調圧しつつ、高周波電力を印加してプラズマを発生させて基板10上にSiO2 膜の成膜を行なう。成膜に必要な時間が経過すると、高周波電力の印加は止め、反応ガスの導入、排気、内槽70内の調圧は継続する。この状態で、アノードヒータ41を下降させ、基板昇降ピン52を上昇させて基板載置台44から基板10を持ち上げる。基板10が持ち上がった後に、反応ガスの供給および内槽70内の調圧を止め、内槽70、外槽20内を高真空にする。その後、基板10を基板搬出口23から搬出する。

Claim (excerpt)：

処理室内のガスに高周波を印加して発生させたプラズマを利用して前記処理室内の基板載置台に載置された基板のプラズマ処理を行う工程と、前記高周波の印加を止めた後、前記処理室内において前記基板を所定のガス雰囲気中に所定の時間晒す工程と、その後、前記基板を前記処理室から搬出する工程と、を有することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (6)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (7)：

C23C 16/44 D ,  C23C 16/44 A ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• プラズマ処理方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-003846   Applicant：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-317939   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• プラズマ処理装置及びその制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-330240   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社