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J-GLOBAL ID：200903053339451224

サブマウント材

Inventor： 白井 隆雄 ,  五代儀 靖
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000118414
Publication number (International publication number)：2001308438
Application date： Apr. 19, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】【課題】組立工程や使用中に熱衝撃が作用した場合においても金属回路層の剥離が少なく、放熱性,耐久性および信頼性に優れたサブマウント材を提供する。【解決手段】窒化アルミニウムを主成分とする焼結体から成るセラミックス基板2aと、このセラミックス基板2a上に形成された金属回路層3aとを具備し、ダイオードを搭載するためのサブマウント材4aにおいて、上記セラミックス基板2aの熱伝導率をK(W/m・K)とする一方、厚さをt(mm)とした場合にK/t比が700以上であることを特徴とするサブマウント材4aである。

Claim (excerpt)：

窒化アルミニウムを主成分とする焼結体から成るセラミックス基板と、このセラミックス基板上に形成された金属回路層とを具備し、ダイオードを搭載するためのサブマウント材において、上記セラミックス基板の熱伝導率をK(W/m・K)とする一方、厚さをt(mm)とした場合にK/t比が700以上であることを特徴とするサブマウント材。

IPC (7)：

H01S 5/022 ,  C04B 41/88 ,  C04B 41/89 ,  C04B 41/91 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/15 ,  H05K 1/03 610

FI (7)：

H01S 5/022 ,  C04B 41/88 J ,  C04B 41/89 A ,  C04B 41/91 Z ,  H05K 1/03 610 E ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/14 C

F-Term (4)：

5F073BA01 ,  5F073EA28 ,  5F073FA15 ,  5F073FA22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• サブマウント
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-181962   Applicant：株式会社トクヤマ
• 半導体レーザーのサブマウント
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-229504   Applicant：田中貴金属工業株式会社

Cited by examiner (2)

• サブマウント
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-181962   Applicant：株式会社トクヤマ
• 半導体レーザーのサブマウント
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-229504   Applicant：田中貴金属工業株式会社