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J-GLOBAL ID：200903053342422510

基板処理方法

Inventor： 河野 広明
Applicant, Patent owner： 住友精密工業株式会社
Agent (1)： 生形 元重 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000167470
Publication number (International publication number)：2001351893
Application date： Jun. 05, 2000
Publication date： Dec. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】 反応レートが高く、しかも、クリーンで基板へのダメージが少ないレジスト剥離技術を提供する。【解決手段】 基板1を回転させながら、その中心部にオゾン水7を連続的に供給する。オゾン水7には、事前にオゾンガスを気泡状態で混合させておく。このオゾンガス混合オゾン水7を基板1の表面上で流動させることにより、基板1の表面に付着するレジストが効率的に除去される。

Claim (excerpt)：

処理すべき基板の表面上で、オゾンガスが気泡状態で混合されたガス混合オゾン水を流動させることにより、基板表面に付着する有機物を除去することを特徴とする基板処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/304 647 ,  B08B 3/08 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/308

FI (5)：

H01L 21/304 647 Z ,  B08B 3/08 Z ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/308 E ,  H01L 21/30 572 B

F-Term (16)：

2H096LA01 ,  2H096LA03 ,  3B201AA03 ,  3B201AB01 ,  3B201AB34 ,  3B201BB21 ,  3B201BB89 ,  3B201BB93 ,  3B201BB98 ,  3B201CC21 ,  5F043BB27 ,  5F043CC16 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F046MA02 ,  5F046MA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-331555   Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
• 基板表面処理方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-208968   Applicant：三菱電機株式会社