半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998331555
Publication number (International publication number)：1999219926
Application date： Nov. 20, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体基板作製に係るあらゆるプロセスで生成するフォトレジスト、レジスト残留物そしてドライエッチング残留物等の有機汚染物を半導体基板表面から除去する方法を提供する。【解決手段】半導体基板をタンクの中に置き、そのタンクを液体又は気体のような流体で満たす。気体を用いる気相プロセスでは、水蒸気、オゾン及び捕捉剤として働く添加物とからなる気体混合物を用いる。液体を用いる液相プロセスでは、水、オゾン及び捕捉剤として働く添加物とからなる液体混合物を用い、液体の沸点以下の温度に保つ。

Claim (excerpt)：

半導体基板をタンクの中に保持する工程と、上記タンクを水蒸気、オゾン及び捕捉剤として働く添加物からなる気体混合物で満たす工程とを含む半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特開平4-079325
表面処理方法および表面処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-359012 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体装置の洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-198780 Applicant：新日本製鐵株式会社

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Cited by examiner (8)

基板表面からの有機物の気相除去方法並びに装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-135753 Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
特開平4-079325
特開昭61-004232

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