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J-GLOBAL ID：200903070021489771

半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法

Inventor： ステファン・デ・ヘント ,  ペーター・スネー ,  マルク・メーリス ,  ポウル・メルテンス ,  マルク・ヘインス
Applicant, Patent owner： アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998331555
Publication number (International publication number)：1999219926
Application date： Nov. 20, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板作製に係るあらゆるプロセスで生成するフォトレジスト、レジスト残留物そしてドライエッチング残留物等の有機汚染物を半導体基板表面から除去する方法を提供する。【解決手段】 半導体基板をタンクの中に置き、そのタンクを液体又は気体のような流体で満たす。気体を用いる気相プロセスでは、水蒸気、オゾン及び捕捉剤として働く添加物とからなる気体混合物を用いる。液体を用いる液相プロセスでは、水、オゾン及び捕捉剤として働く添加物とからなる液体混合物を用い、液体の沸点以下の温度に保つ。

Claim (excerpt)：

半導体基板をタンクの中に保持する工程と、上記タンクを水蒸気、オゾン及び捕捉剤として働く添加物からなる気体混合物で満たす工程とを含む半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開昭61-004232
  
• 特開平4-079325
  
• 基板表面からの有機物の気相除去方法並びに装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-135753   Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
• 表面処理方法および表面処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-359012   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 蒸気洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-099231   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 半導体装置の洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-198780   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 表面処理液および基板表面処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-064563   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体製造装置及びこれを用いたウェーハ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-241777   Applicant：三星電子株式会社