半導体の電気特性評価装置および電気特性評価方法

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：古谷史旺
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000282497
Publication number (International publication number)：2002098634
Application date： Sep. 18, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】被測定物である半導体材料を汚染したりキズを付けたりしないで、その電気的物性量(キャリア密度,移動度,抵抗率,電気伝導度など)を測定・検査する電気特性評価装置および電気特性評価方法を提供すること。【解決手段】テラヘルツパルス光を半導体材料5に照射するテラヘルツパルス光源2と、半導体材料5からの透過パルス光または反射パルス光を検出する光検出手段6と、透過パルス光または反射パルス光の電場強度の時系列波形から分光透過率または分光反射率を得るテラヘルツ時間領域計測手段7,8と、分光透過率または分光反射率に基づいてその半導体材料の電気的特性パラメータを算出する演算手段9とを備える。

Claim (excerpt)：

テラヘルツパルス光を半導体材料に照射するテラヘルツパルス光源と、前記半導体材料からの透過パルス光または反射パルス光を検出する光検出手段と、前記透過パルス光または反射パルス光の電場強度の時系列波形から分光透過率または分光反射率を得るテラヘルツ時間領域計測手段と、前記分光透過率または分光反射率に基づいて前記半導体材料の電気的特性パラメータを算出する演算手段とを備えたことを特徴とする半導体の電気特性評価装置。

IPC (3)：

G01N 21/35 , G01N 21/17 620 , H01L 21/66

FI (4)：

G01N 21/35 Z , G01N 21/17 620 , H01L 21/66 N , H01L 21/66 M

F-Term (33)：

2G059AA05 , 2G059BB16 , 2G059CC20 , 2G059DD13 , 2G059EE01 , 2G059EE02 , 2G059EE12 , 2G059FF02 , 2G059FF04 , 2G059GG01 , 2G059GG08 , 2G059HH02 , 2G059JJ01 , 2G059JJ11 , 2G059JJ13 , 2G059KK04 , 2G059MM01 , 2G059MM09 , 2G059MM10 , 4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106AA20 , 4M106BA05 , 4M106BA20 , 4M106CA10 , 4M106CB01 , 4M106CB12 , 4M106DH09 , 4M106DH12 , 4M106DH32 , 4M106DJ04 , 4M106DJ11 , 4M106DJ23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

物品の検査方法とその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-242626 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

Cited by examiner (1)

物品の検査方法とその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-242626 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

Cited by examiner (3)

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