かご状シルセスキオキサン含有皮膜

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999150069
Publication number (International publication number)：2000334881
Application date： May. 28, 1999
Publication date： Dec. 05, 2000
Summary：

【要約】【課題】微細な空隙を広い面積で均一に有する皮膜を安価に製造する技術を見いだすこと及びこれにより光学特性改良フィルムを得ること。【解決手段】透明基材上に、少なくとも1種のかご状シルセスキオキサンを含有する膜を有することを特徴とする光学特性改良フィルム。

Claim (excerpt)：

透明基材上に、少なくとも1種のかご状シルセスキオキサンを含有する膜を有することを特徴とするフィルム。

IPC (15)：

B32B 9/00 , C01B 33/113 , C03C 17/28 , C08G 77/04 , C08K 3/22 , C08K 5/057 , C08K 5/09 , C08L 83/04 , C08L101/16 , C09D 7/12 , C09D183/04 , C09D201/00 , C07F 7/18 , C07F 7/21 , C08J 5/18 CFH

FI (15)：

B32B 9/00 Z , C01B 33/113 Z , C03C 17/28 A , C08G 77/04 , C08K 3/22 , C08K 5/057 , C08K 5/09 , C08L 83/04 , C09D 7/12 Z , C09D183/04 , C09D201/00 , C07F 7/18 X , C07F 7/21 , C08J 5/18 CFH , C08L101/00

F-Term (172)：

4F071AA01 , 4F071AA67 , 4F071AB18 , 4F071AC05 , 4F071AC09 , 4F071AH19 , 4F071BA03 , 4F071BC02 , 4F100AA02B , 4F100AH06B , 4F100AH08B , 4F100AK01B , 4F100AK25A , 4F100AT00A , 4F100BA02 , 4F100CA30B , 4F100CA30H , 4F100CC01B , 4F100EH46 , 4F100EJ54 , 4F100GB41 , 4F100JD06 , 4F100JM01B , 4F100JN01A , 4F100JN06 , 4F100JN08 , 4G059AA08 , 4G059AA11 , 4G059AC02 , 4G059AC09 , 4G059EA05 , 4G059EB05 , 4G059FA05 , 4G059FA07 , 4G059FA29 , 4G059FB05 , 4G072BB09 , 4G072FF01 , 4G072FF07 , 4G072FF09 , 4G072GG02 , 4G072HH28 , 4G072HH30 , 4G072JJ14 , 4G072LL11 , 4G072LL15 , 4G072MM02 , 4G072NN21 , 4G072PP01 , 4G072PP03 , 4G072PP17 , 4G072UU01 , 4H049VN01 , 4H049VP08 , 4H049VP09 , 4H049VP10 , 4H049VQ02 , 4H049VQ03 , 4H049VQ07 , 4H049VQ26 , 4H049VQ48 , 4H049VQ78 , 4H049VQ86 , 4H049VQ88 , 4H049VR11 , 4H049VR21 , 4H049VR43 , 4H049VR44 , 4H049VS02 , 4H049VS03 , 4H049VS07 , 4H049VS26 , 4H049VS48 , 4H049VS78 , 4H049VU29 , 4J002AB012 , 4J002AC032 , 4J002BB032 , 4J002BB062 , 4J002BB122 , 4J002BB242 , 4J002BC062 , 4J002BC082 , 4J002BD042 , 4J002BD062 , 4J002BD102 , 4J002BD122 , 4J002BD142 , 4J002BD152 , 4J002BD172 , 4J002BE022 , 4J002BE032 , 4J002BE042 , 4J002BE052 , 4J002BE062 , 4J002BF022 , 4J002BG042 , 4J002BG062 , 4J002BG122 , 4J002BH022 , 4J002BJ002 , 4J002BN062 , 4J002BN072 , 4J002BN102 , 4J002BN122 , 4J002BN152 , 4J002BN162 , 4J002CB002 , 4J002CC022 , 4J002CC122 , 4J002CD002 , 4J002CD203 , 4J002CF062 , 4J002CF072 , 4J002CF162 , 4J002CF212 , 4J002CF273 , 4J002CG002 , 4J002CH022 , 4J002CH092 , 4J002CK023 , 4J002CL002 , 4J002CM042 , 4J002CN032 , 4J002CP012 , 4J002CP031 , 4J002CP142 , 4J002DD026 , 4J002DF036 , 4J002DG046 , 4J002DH046 , 4J002EC076 , 4J002EG046 , 4J002EG056 , 4J002EG106 , 4J002EX036 , 4J002EX066 , 4J002EX076 , 4J002EX086 , 4J002GP00 , 4J035BA12 , 4J035CA01K , 4J035CA022 , 4J035CA072 , 4J035CA102 , 4J035CA112 , 4J035CA132 , 4J035CA142 , 4J035CA152 , 4J035CA172 , 4J035CA192 , 4J035CA262 , 4J035LA07 , 4J035LB01 , 4J035LB20 , 4J038DL031 , 4J038EA001 , 4J038HA126 , 4J038HA216 , 4J038HA336 , 4J038HA376 , 4J038HA416 , 4J038JA16 , 4J038JA47 , 4J038JC32 , 4J038KA12 , 4J038NA11 , 4J038NA17 , 4J038PB08 , 4J038PC02 , 4J038PC03 , 4J038PC08

Patent cited by the Patent：

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シリコーン化合物及びその製造方法
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絶縁膜の形成材料及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-083682 Applicant：富士通株式会社
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-345773 Applicant：日本電信電話株式会社

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Article cited by the Patent：

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