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J-GLOBAL ID:200903053401875869
多層配線の形成方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
阪本 清孝 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994133873
Publication number (International publication number):1995321202
Application date: May. 25, 1994
Publication date: Dec. 08, 1995
Summary:
【要約】【目的】 ウエットエッチングを併用した工程増による生産性の低下を引き起こすことなく、多層配線間の良好な電気的コンタクトが得られる多層配線の形成方法を得る。【構成】 多層配線の形成方法において、多層配線の下部電極2bをタンタル(Ta)で形成し、配線間の絶縁層3をシリコンを主体とした非晶質材料より成る絶縁層で形成するとともに、上部電極膜を着膜する工程直前に、Ta電極表面をプラズマ処理することにより、前記絶縁層の着膜等の際にTa電極表面に形成された絶縁性被膜を除去するので、ウエットエッチングを併用することなくコンタクト抵抗の低抵抗化を図る。
Claim (excerpt):
タンタル(Ta)電極上にシリコンを主体とした非晶質材料より成る絶縁層を被覆する工程と、該絶縁層をプラズマエッチングして接続用開口部を形成する工程と、接続用開口部におけるTa電極表面を上部電極膜の着膜直前にプラズマ処理を行なう工程と、接続用開口部を介して前記Ta電極と接続する上部電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする多層配線の形成方法。
IPC (5):
H01L 21/768
, G02F 1/136 500
, H01L 21/28 301
, H01L 29/40
, H01L 29/786
FI (2):
H01L 21/90 A
, H01L 29/78 311 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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半導体装置の配線層接続構造
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-184955
Applicant:三菱電機株式会社
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特開昭63-037636
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-272118
Applicant:富士通株式会社
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層間接続孔の埋め込み方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-313342
Applicant:川崎製鉄株式会社
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