半導体レ-ザモジュ-ル

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：丸山隆夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998374736
Publication number (International publication number)：2000194023
Application date： Dec. 28, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】安定動作特性を向上させた半導体レーザモジュールを得る。【解決手段】半導体レーザ素子1の出射光を、レンズ2、3によりコリメート光に変換し集光し、この集光した光を光ファイバ4により外部に取り出す。光ファイバ4内には、二つのピーク波長を有したファイバグレーティング5a、5bがある。二つのピーク波長は、光ファイバアンプの有効励起波長帯の中心値より長波長側および短波長側に設定されている。この構成によれば、半導体レーザ素子1の波長が温度特性等により変化して一方の反射器のロック範囲を外れても、もう一方の反射器にて波長を希土類添加ファイバの励起有効波長帯域にロックし、広温度範囲でのモジュール動作を実現し、素子波長の許容範囲が広がり、半導体レーザ素子の歩留りが向上する。さらに、EDFでの増幅に寄与しない波長成分を低減できる。

Claim (excerpt)：

所望の波長帯のレーザ光を発光する半導体レーザ素子と、前記波長帯における特定の波長成分を前記半導体レーザ素子に反射させるファイバグレーティングを有する半導体レーザモジュールにおいて、前記ファイバグレーティングはピーク波長を二つ有し、該ピーク波長が前記半導体レーザ素子の出射光の所定波長を夾む前後の波長に設定されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。

IPC (3)：

G02F 1/35 , G02B 6/42 , H01S 5/30

FI (3)：

G02F 1/35 , G02B 6/42 , H01S 3/18

F-Term (11)：

2H037AA01 , 2H037BA03 , 2H037CA01 , 5F073AB21 , 5F073AB27 , 5F073AB28 , 5F073BA01 , 5F073BA09 , 5F073EA03 , 5F073EA04 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体レーザモジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-018257 Applicant：住友電気工業株式会社
レーザ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平6-520804 Applicant：ブリテイッシュ・テレコミュニケーションズ・パブリック・リミテッド・カンパニー
レーザからの光の発生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-011029 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

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