半導体レーザモジュール

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡部惠行 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998018257
Publication number (International publication number)：1998293234
Application date： Jan. 13, 1998
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】光出力発振スペクトルが安定化され、出力特性が外部条件により変動しない半導体レーザモジュールの提供。【解決手段】この発明の半導体レーザモジュールは、光放射用半導体レーザチップ(11)を収納するパッケージ(1)、この放射光の中で所定波長の光のみを反射するFG回折格子構造を備える光ファイバー(21)、及び両者を結合する結合手段(22,25,28〜30)を具備する。このFG回折格子構造は、パッケージ内もしくは結合手段内に相当する個所に形成され、この発明の第1の特徴に従うと、互いに異なる波長の光を反射する少なくとも2つの回折格子(FG1 ,FG2 )で構成され、好適な実施態様では、これらの回折格子が同一箇所に重ね書きされる。また、第2の特徴に従うと、屈折率の周期が連続的に変化するチャープトグレーティングで構成される。

Claim (excerpt)：

光を出射するための半導体レーザチップ、前記半導体レーザチップを収納するパッケージ、前記半導体レーザチップからの出射光のなかで所定の波長の光のみを反射するための回折格子構造を備えた光ファイバー、及び、前記パッケージとこの光ファイバーを結合する結合手段を具備する半導体レーザモジュールにおいて、前記回折格子構造は、互いに異なる波長の光を反射するための少なくとも2つの回折格子から成り、かつ、前記パッケージ内もしくは前記結合手段内に相当する個所に形成されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。

IPC (4)：

G02B 6/42 , G02B 6/10 , G02B 6/34 , H01S 3/18

FI (4)：

G02B 6/42 , G02B 6/10 C , G02B 6/34 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

レーザ光源とその製作方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-090561 Applicant：住友電気工業株式会社
光ファイバグレーティング
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-155658 Applicant：日本電信電話株式会社
導波路型光フィルタの作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-089154 Applicant：住友電気工業株式会社

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