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J-GLOBAL ID:200903053562054270

プラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001379488
Publication number (International publication number):2002237490
Application date: Oct. 17, 1996
Publication date: Aug. 23, 2002
Summary:
【要約】【課題】 高周波誘導結合プラズマ装置のプラズマ密度の均一化を図る。【解決手段】 本発明によれば,高周波アンテナ120に高周波電力を印加することにより,誘電体118を介して処理室内102aに誘導結合プラズマを励起し,処理室内の被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すように構成されたプラズマ処理装置において,前記高周波アンテナは,密に配される領域と疎に配される領域とを有することを特徴とする,プラズマ処理装置が提供される。本発明によれば,高周波アンテナが密に配される領域と疎に配される領域から各々処理室内に伝達される電界を均一にすることができるため,処理室内に均一な高密度プラズマを安定して励起することができる
Claim (excerpt):
高周波アンテナに高周波電力を印加することにより,誘電体を介して処理室内に誘導結合プラズマを励起し,前記処理室内の被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すように構成されたプラズマ処理装置において:前記高周波アンテナは,密に配される領域と疎に配される領域とを有することを特徴とする,プラズマ処理装置。
IPC (3):
H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46
FI (3):
H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 B
F-Term (23):
5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB21 ,  5F004BB25 ,  5F004BC06 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DB03 ,  5F004DB09 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH11 ,  5F045EJ03 ,  5F045EM03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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