電界効果トランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石島茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999311151
Publication number (International publication number)：2001135818
Application date： Nov. 01, 1999
Publication date： May. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】パワーMOSFETにおいて、ゲート-ドレイン間の容量を低減することが可能な技術を提供する。【解決手段】本発明のトレンチ型パワーMOSFET1は、直線状に配置された複数の孔1811〜1815、1821〜1825を設け、それぞれの孔1811〜1815、1821〜1825にそれぞれゲート電極プラグ3011〜3015、3021〜3025を形成している。このため、ポリシリコンゲートを溝内に形成していた従来に比して、ゲート電極プラグ3011、3012がドレイン層12と対向する面積を小さくすることができるので、この面積に比例するゲート-ドレイン間の容量を低減することができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型のドレイン層と、前記第1導電型とは反対の極性の第2導電型であって、前記ドレイン層上に配置されたボディ領域と、前記ボディ領域表面から形成され、底部が前記ドレイン層内部に達する複数の孔と、前記第1導電型であって、前記孔周囲に配置され、底面が前記ドレイン層とは離間したソース拡散層と、前記孔内周と底面に形成されたゲート絶縁膜と、前記ドレイン層と前記ボディ領域と前記ソース拡散層とは前記ゲート絶縁膜で絶縁された状態で、前記孔内に、前記ソース拡散層から前記ドレイン層に亘って充填されたゲート電極プラグと、前記ソース拡散層に接続されたソース電極膜とを有する電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 653

FI (4)：

H01L 29/78 652 F , H01L 29/78 652 L , H01L 29/78 652 Z , H01L 29/78 653 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-284338 Applicant：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-067879 Applicant：株式会社東芝
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-100531 Applicant：株式会社東芝

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