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J-GLOBAL ID：200903053603484152

半導体レーザ装置の製造方法

Inventor：
宮永 良子

About 宮永 良子

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上山 智

About 上山 智

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木戸口 勲

About 木戸口 勲

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長谷川 義晃

About 長谷川 義晃


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998190667
Publication number (International publication number)：2000022270
Application date： Jul. 06, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 安定な単一横モード動作、低しきい値電流密度等に優れる光学的及び電気的特性を有するGaN系半導体レーザ装置を再現性良く得られるようにする。【解決手段】 まず、(0001)面のサファイアからなる基板11の上に、GaNからなるバッファ層12とn型GaNよりなるn型コンタクト層13とを成長させる。次に、n型コンタクト層13の上に全面にSiO2 からなる誘電体膜を堆積し、n型コンタクト層13の上面の(1-100)方向に延びるストライプ状のマスクパターン25を形成する。次に、n型コンタクト層13の上面のマスクパターン25を除く領域にp型GaNからなる電流狭窄層14を成長させる。このとき、電流狭窄層14には、マスクパターン25の領域に開口部14aが形成され、該開口部14aの壁面の基板面はGaNの成長速度の面方位依存性により、基板面に対する傾斜角βの値はほぼ60°となる。
Claim (excerpt)：
基板上にガリウムと窒素とを含む第1の半導体層を成長させる第1の半導体層成長工程と、前記第1の半導体層の上面に、所定の結晶方向に延びるストライプ状の薄膜からなるマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、前記マスクパターンを用いて前記第1の半導体層の上における前記マスクパターンの両側の領域にガリウムと窒素とを含む第2の半導体層を選択的に成長させた後、前記マスクパターンを除去することにより、前記第2の半導体層からなりストライプ状の開口部を有する電流狭窄層を形成する電流狭窄層形成工程と、前記電流狭窄層の上に前記開口部を含む全面にわたってダブルヘテロ接合を有する第3の半導体層を成長させることにより、前記開口部に活性層を形成する活性層形成工程とを備えていることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
F-Term (10)：
5F073AA20 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA18 ,  5F073EA23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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