半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003178863
Publication number (International publication number)：2004228557
Application date： Jun. 24, 2003
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：

【課題】本発明の目的は、基板に生じる欠陥を効果的に抑制でき、性能の良好な半導体装置及び製造方法を提供することにある。【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板に形成された溝と前記溝に埋め込まれた埋込み絶縁膜を有する素子分離領域と、前記素子分離領域に隣接して形成されゲート絶縁膜とゲート絶縁膜の上にゲート電極が形成されるアクティブ領域と、前記素子分離領域上に少なくともゲート電極の一部が位置し、前記ゲート電極が位置する第一の領域における前記埋め込み絶縁膜の第一の界面が、前記ゲート電極が位置しない第二の領域における前記埋め込み絶縁膜の第二の界面より高い位置になるよう形成される領域を含むことを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板に形成された溝と前記溝に埋め込まれた埋込み絶縁膜を有する素子分離領域と、前記素子分離領域に隣接して形成されゲート絶縁膜とゲート絶縁膜の上にゲート電極が形成されるアクティブ領域と、前記素子分離領域上に少なくともゲート電極の一部が位置し、前記ゲート電極の位置する第一の素子分離領域における前記埋めこみ絶縁膜の上側の第一端面が、前記ゲート電極膜の位置しない第二の素子分離領域における前記埋込み絶縁膜の第二の端面より上に位置するよう形成される領域を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L29/78 , H01L21/76 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (5)：

H01L29/78 301R , H01L27/10 481 , H01L21/76 L , H01L27/10 434 , H01L29/78 371

F-Term (89)：

5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA46 , 5F032AA77 , 5F032BA03 , 5F032CA03 , 5F032CA17 , 5F032CA23 , 5F032CA25 , 5F032DA02 , 5F032DA07 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA30 , 5F032DA33 , 5F032DA43 , 5F032DA53 , 5F032DA74 , 5F032DA78 , 5F083AD00 , 5F083BS00 , 5F083EP05 , 5F083EP23 , 5F083EP32 , 5F083EP55 , 5F083EP77 , 5F083EP79 , 5F083ER22 , 5F083GA27 , 5F083JA04 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA53 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA06 , 5F083LA07 , 5F083LA10 , 5F083NA01 , 5F083NA06 , 5F083PR40 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083ZA08 , 5F101BA12 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BD22 , 5F101BD27 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BE07 , 5F140AA08 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BE03 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF17 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG22 , 5F140BG51 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ04 , 5F140BJ07 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ14 , 5F140BJ17 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK25 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CB10 , 5F140CC11 , 5F140CE07 , 5F140CE20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-138539 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体メモリ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-203563 Applicant：株式会社デンソー
半導体デバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-034553 Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド

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