半導体デバイス及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998034553
Publication number (International publication number)：1999111981
Application date： Feb. 17, 1998
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】デバイスの設計の余裕度を高め且つ高集積化を図ることができる半導体デバイス及びその製造方法を提供すること。【解決手段】基板の活性領域をフィールド領域から立ち上がる台状に形成させ、その台状の表面にゲート電極を形成させ、そのゲート電極の両側から立ち上がり部の側面にかけて不純物領域を形成させた。

Claim (excerpt)：

基板の活性領域をフィールド領域から立ち上がる台状に形成させ、その台状の表面にゲート電極を形成させ、そのゲート電極の両側から台状の立ち上がり部の側面にかけて不純物領域を形成させたことを特徴とする半導体デバイス。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 301 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭60-206150
特開昭59-200436
半導体装置およびシリサイド層の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-120412 Applicant：沖電気工業株式会社

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