Pat
J-GLOBAL ID：200903053640440432

高抵抗GaN結晶層の製造方法

Inventor：
吉田 清輝

About 吉田 清輝


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000058829
Publication number (International publication number)：2001247399
Application date： Mar. 03, 2000
Publication date： Sep. 11, 2001
Summary：
【要約】【課題】 GaN系FETの製造時に適用して有効な高抵抗GaN結晶層の製造方法を提供する。【解決手段】 GaN結晶をエピタキシャル成長させる際に、C,Mg,Znの群から選ばれる少なくとも1種のp型不純物をドーピングする高抵抗GaN結晶層2A,2Bの製造方法であり、具体的には、GaN結晶をエピタキシャル成長させる際に、温度600°C以上の水素雰囲気中でMgまたはZnをドーピングする、または、GaN結晶をエピタキシャル成長させる際に、MgまたはZnを1×1017cm-3以上の濃度でドーピングしたのち、更にCを1×1018cm-3以上の濃度でドーピングする。
Claim (excerpt)：
GaN結晶をエピタキシャル成長させる際に、C,Mg,Znの群から選ばれる少なくとも1種のp型不純物をドーピングすることを特徴とする高抵抗GaN結晶層の製造方法。
IPC (6)：
C30B 29/38 ,  C30B 23/02 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (5)：
C30B 29/38 D ,  C30B 23/02 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/80 B
F-Term (49)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077EB01 ,  4G077EB02 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077HA06 ,  4G077SA04 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD12 ,  5F045AE05 ,  5F045AE07 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA06 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F045DA66 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC16 ,  5F103AA05 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103KK01 ,  5F103KK07 ,  5F103KK10 ,  5F103LL08 ,  5F103RR05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM