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J-GLOBAL ID：200903050905728108

半導体素子及びその製造方法

Inventor：
伊藤 茂稔

About 伊藤 茂稔


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999082778
Publication number (International publication number)：1999340510
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】 GaN系半導体素子において、ドーピング効率を向上することにより、特性の改善されたGaN系半導体素子を得ることを目的とする。【解決手段】 本発明の半導体素子は、ウルツ鉱型結晶構造のGaN系結晶膜と前記ウルツ鉱型結晶構造のGaN系結晶膜上に不純物を添加したGaN系半導体層とを備え、ウルツ鉱型構造のGaN系結晶膜の上面は、(000-1)面である。
Claim (excerpt)：
ウルツ鉱型結晶構造を有するGaN系結晶膜と、前記GaN系結晶膜上に形成された不純物を添加したGaN系半導体層とを備えた半導体素子において、前記GaN系結晶膜の上面は、(000-1)面であることを特徴とする半導体素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18 673
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • 特開平4-242985
  • SiC発光素子及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-237613   Applicant：株式会社東芝
  • 窒化物半導体結晶構造体
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-215574   Applicant：日本電信電話株式会社
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Cited by examiner (6)
  • 特開平4-242985
  • SiC発光素子及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-237613   Applicant：株式会社東芝
  • 窒化物半導体結晶構造体
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-215574   Applicant：日本電信電話株式会社
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