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J-GLOBAL ID：200903072491134476

ダイヤモンド薄板の製造方法

Inventor： 今井 貴浩 ,  藤森 直治
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993024033
Publication number (International publication number)：1994234595
Application date： Feb. 12, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【目的】 量産性に優れ、かつ安価に多結晶または単結晶のダイヤモンド薄板を製造するダイヤモンド薄板の製造方法を提供する。【構成】 気相合成法により、光透過性の高い第1のダイヤモンド層3と、第1のダイヤモンド層3より光透過性の低い第2のダイヤモンド層4とを交互に合成することにより、ダイヤモンド積層体2を形成した後、ダイヤモンド積層体2にレーザ光5を照射することにより、第2のダイヤモンド層4にレーザ光を吸収させ、第2のダイヤモンド層4を境界として、第1のダイヤモンド層3をダイヤモンド薄板として分離する。

Claim (excerpt)：

気相合成法により、光透過性の高い第1のダイヤモンド層と、前記第1のダイヤモンド層より光透過性の低い第2のダイヤモンド層とを交互に合成することにより、前記第1および第2のダイヤモンド層とが交互に積層されてなるダイヤモンド積層体を形成する工程と、前記ダイヤモンド積層体にレーザ光を照射して、前記第2のダイヤモンド層に前記レーザ光を吸収させ、前記第2のダイヤモンド層を境界として、前記第1のダイヤモンド層をダイヤモンド薄板として分離する工程とを備える、ダイヤモンド薄板の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/04 ,  C23C 14/06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 特開昭60-141697
  
• 半導体ダイヤモンド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-148391   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 半導体ダイヤモンドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-186079   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平4-232273
  
• 特開昭62-054587