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J-GLOBAL ID：200903043659709160

窒化物半導体基板の製造方法

Inventor：
向井 孝志

About 向井 孝志


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998179856
Publication number (International publication number)：2000012979
Application date： Jun. 26, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：
【要約】【目的】 青色発光ダイオード、青色レーザダイオード等の窒化物半導体に用いられる基板であって、貫通転位等の結晶欠陥が大幅に改善された基板を得ることを目的とする。【構成】 窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板1上に、少なくともInを含む窒化物半導体よりなる第1の窒化物半導体層2と、前記第1の窒化物半導体層の上に、第2の窒化物半導体層3とを成長させて、前記第1の窒化物半導体層3を分解させ(3 ́)、その後、前記第2の窒化物半導体層の上に、基板となる第3の窒化物半導体層を成長させる。このことにより、異種基板との格子不整合、熱膨張係数差などにより発生した転位が窒化物半導体基板5に伝播するのを防ぎ、結晶性の良好な窒化物半導体基板が得られる。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板上に、少なくともInを含む窒化物半導体よりなる第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層の上に、第2の窒化物半導体層とを成長させた後、前記第1の窒化物半導体層を分解させ、その後、前記第2の窒化物半導体層の上に、基板となる第3の窒化物半導体層を成長させることを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (4)：
H01S 5/30 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (4)：
H01S 3/18 ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
F-Term (46)：
4G077AA02 ,  4G077BE11 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077FE07 ,  4G077FE18 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045GH09 ,  5F045HA16 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB06 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA35 ,  5F073EA07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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